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            曙海教育集團
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               65納米CMOS工藝&高壓器件設計與制程技術
              培養對象
                    本科及本科以上電子類相關專業或在業內具備相關工作經驗者,具備電子電路基礎,有志于學習版圖設計課程者
               入學要求

                    學員學習本課程應具備下列基礎知識:
                    ◆電路系統的基本概念。

               班級規模及環境--熱線:4008699035 手機:15921673576( 微信同號)
                   每期人數限3到5人。
               上課時間和地點
            上課地點:【上!浚和瑵髮W(滬西)/新城金郡商務樓(11號線白銀路站) 【深圳分部】:電影大廈(地鐵一號線大劇院站)/深圳大學成教院 【北京分部】:北京中山學院/福鑫大樓 【南京分部】:金港大廈(和燕路) 【武漢分部】:佳源大廈(高新二路) 【成都分部】:領館區1號(中和大道) 【沈陽分部】:沈陽理工大學/六宅臻品 【鄭州分部】:鄭州大學/錦華大廈 【石家莊分部】:河北科技大學/瑞景大廈 【廣州分部】:廣糧大廈 【西安分部】:協同大廈
            最近開課時間(周末班/連續班/晚班)
            高壓器件設計開課時間:2020年3月16日
               實驗設備
                 ☆資深工程師授課

                    
                    ☆注重質量
                    ☆邊講邊練

                    ☆合格學員免費推薦工作

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               質量保障

                    1、培訓過程中,如有部分內容理解不透或消化不好,可免費在以后培訓班中重聽;
                    2、培訓結束后,授課老師留給學員聯系方式,保障培訓效果,免費提供課后技術支持。
                    3、培訓合格學員可享受免費推薦就業機會。

                    65納米CMOS工藝&高壓器件設計與制程技術


            隨著中國半導體產業已進入了一個高速發展的階段,各個相關產業也在不斷完善,同時,半導體專業知識的及時更新也越來越受到業界人士的重視。根據目前工藝的最新發展情況,我們為大家介紹“65納米CMOS工藝及其應用”;“高壓器件設計與制程技術”,課程注重基礎與實踐能力的提高,相信會使參加者受益匪淺。

            課程簡介:

            第一部分:65納米CMOS工藝及其應用

            65納米CMOS工藝經過多年研發已經逐漸進入量產階段,本課程將逐一介紹實際可行的工藝。內容包括前端閘極設計、信道結構、源汲極淺結構,以及后端銅導線工藝整合等項目,并且以一些在特定電路應用內的范例為學員解惑。


            第二部分: 高壓器件設計與制程技術

            功率集成電路及組件在相關電機電子產品領域中應用日漸增多,但功率組件的設計制造及工作條件則有別于一般的傳統IC組件,故本課程的宗旨即在闡述功率組件的基本物理結構及相關的高壓技術,涵蓋的組件包含Power Rectifiers,Bipolar Transistors,Thyristors,Power MOSFET,以及 IGBT。

            主要內容:
            1. Semiconductor Breakdown Physics
            2. Power Rectifiers
            3. Bipolar Junction Transistors
            4. Thyristors
            5. Power MOSFET
            6. IGBT
            7. Super-junction Devices

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